收藏本站
NTTFS4930N
TYPICAL CHARACTERISTICS
50
40
10 V
8.5 V
6.5 V
4.4 V
T J = 25 ° C
4.5 V
4.2 V
40
30
V DS = 10 V
30
20
4V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
20
10
0
0
3.2 V
3.0 V
2.8 V
V GS = 2.6 V
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
5
10
0
1
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
5
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.0340
0.0300
0.0260
0.0220
0.0180
0.0140
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
I D = 10 A
T J = 25 ° C
0.0100
3.0
4.0
5.0
6.0 7.0
8.0
9.0
10.0
V GS (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. V GS
3.8E ? 02
3.4E ? 02
3.0E ? 02
2.6E ? 02
2.2E ? 02
1.8E ? 02
1.4E ? 02
T = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1.0E ? 02
5
10
15
20
25
30
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
http://onsemi.com
4
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTTFS4932NTAG MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN
NTTFS4937NTAG MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN
NTTFS4939NTAG MOSFET N-CH 30V 8.9A 8WDFN
NTTFS4941NTAG MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN
NTTFS4985NFTAG MOSFET N-CH 30V 16.3A 8-WDFN
NTTFS5116PLTAG MOSFET PWR P-CH 60V 5.7A 8-WDFN
NTTFS5811NLTWG MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN
NTTFS5820NLTWG MOSFET N-CH 60V 37A 8DFN
相关代理商/技术参数
NTTFS4932N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 79 A, Single N−Channel, μ8FL
NTTFS4932NTAG 功能描述:MOSFET 30V 79A 4 mOhm Single N-Chan u8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTTFS4932NTWG 功能描述:MOSFET 30V 79A 4 mOhm Single N-Chan u8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTTFS4937N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 75 A, Single N−Channel, 8FL
NTTFS4937NTAG 功能描述:MOSFET 30V 75A 4.5 mOhm Single N-Chan u8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTTFS4937NTWG 功能描述:MOSFET 30V 75A 4.5 mOhm Single N-Chan u8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTTFS4939N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 52 A, Single N−Channel, 8FL
NTTFS4939NTAG 功能描述:MOSFET 30V 56A 5.5 mOhm Single N-Chan u8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube